رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQA13N50C-F109
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQA13N50C-F109-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3P
المخزون:
12838434
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQA13N50C-F109 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
480mOhm @ 6.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2055 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
218W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA13
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
450
اسماء اخرى
FQA13N50C_F109
2832-FQA13N50C-F109
FQA13N50C_F109-DG
FQA13N50CF109
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK39J60W,S1VQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
22
DiGi رقم الجزء
TK39J60W,S1VQ-DG
سعر الوحدة
5.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF2N60
MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F
HUF76432P3
MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
BFL4026-1E
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
