رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQA30N40
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQA30N40-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 30A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
450 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846622
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQA30N40 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
290W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA30
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-FQA30N40-OS
ONSONSFQA30N40
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFQ50N50P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
292
DiGi رقم الجزء
IXFQ50N50P3-DG
سعر الوحدة
5.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2SK1317-E
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
5608
DiGi رقم الجزء
2SK1317-E-DG
سعر الوحدة
3.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTQ480P2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTQ480P2-DG
سعر الوحدة
6.67
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDA24N40F
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDA24N40F-DG
سعر الوحدة
1.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOT4S60L
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
AON6362P
MOSFET N-CH 30V 8DFN
FDC642P_SB4N006
MOSFET N-CH SSOT6
