رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQA40N25
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQA40N25-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 40A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
297 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836174
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQA40N25 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
280W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA40
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-FQA40N25-488
FQA40N25-DG
FQA40N25FS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK4065-E
MOSFET N-CH 75V 100A SMP
AUIRFS4115-7TRL
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
FDR6674A
MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8
