رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB19N20CTM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB19N20CTM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12836909
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB19N20CTM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1080 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 139W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB19N20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FQB19N20CTMTR
FQB19N20CTMDKR
FQB19N20CTM-DG
FQB19N20CTMCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCJ160N20TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
RCJ160N20TL-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCB125N65S3
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
FCB125N65S3-DG
سعر الوحدة
2.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQB13N06TM
MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
FDMS8690
MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
2SJ656
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
