FQB32N12V2TM
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQB32N12V2TM

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQB32N12V2TM-DG

وصف:

MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 32A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12847093
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQB32N12V2TM المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1860 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB3

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
FQB32N12V2TM
ورقة بيانات HTML
FQB32N12V2TM-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRL540NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
39221
DiGi رقم الجزء
IRL540NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.78
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS52N15DTRLP
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4544
DiGi رقم الجزء
IRFS52N15DTRLP-DG
سعر الوحدة
1.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7309
DiGi رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF3415STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
280
DiGi رقم الجزء
IRF3415STRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF1310NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
10386
DiGi رقم الجزء
IRF1310NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTD40N03RT4

MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK

onsemi

FDS9412

MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC

onsemi

NTE4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3

onsemi

NTTFS4C65NTWG

MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN