رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP13N50C_F105
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP13N50C_F105-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12838692
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP13N50C_F105 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2055 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
195W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP1
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB13N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1693
DiGi رقم الجزء
IRFB13N50APBF-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP2NA90
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
FDP2710-F085
MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
