FQP4P40
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQP4P40

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQP4P40-DG

وصف:

MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 400 V 3.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

12846696
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQP4P40 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP4

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FQP4P40-DG
2156-FQP4P40-488
FQP4P40FS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FCD3400N80Z

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK

onsemi

FQI3P50TU

MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK

onsemi

FCU850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOD442

MOSFET N-CH 60V 7A/37A TO252