FQP5N20
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQP5N20

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQP5N20-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12849341
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQP5N20 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
270 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP5

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
FQP5N20
ورقة بيانات HTML
FQP5N20-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRF620PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
322
DiGi رقم الجزء
IRF620PBF-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPD096N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

onsemi

FDS3572

MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF266L

MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F

onsemi

FQB33N10TM

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK