الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP7N10L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP7N10L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 7.3A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12838986
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP7N10L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
290 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP7
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN009-100P,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
291
DiGi رقم الجزء
PSMN009-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRL520NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4018
DiGi رقم الجزء
IRL520NPBF-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF520NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2234
DiGi رقم الجزء
IRF520NPBF-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN027-100PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
21891
DiGi رقم الجزء
PSMN027-100PS,127-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN015-100P,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7793
DiGi رقم الجزء
PSMN015-100P,127-DG
سعر الوحدة
1.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDPF8N60ZUT
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
FDN86265P
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
HUF76429D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FCI25N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK