رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP7N65C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP7N65C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12837553
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP7N65C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1245 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP7
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP9NK65Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP9NK65Z-DG
سعر الوحدة
1.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP5N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
33
DiGi رقم الجزء
STP5N60M2-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP5N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
717
DiGi رقم الجزء
STP5N80K5-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQB46N15TM_AM002
MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
FDWS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FQA22P10
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
