رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP8N90C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP8N90C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12850483
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP8N90C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2080 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
171W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP8
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP6NK90Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
990
DiGi رقم الجزء
STP6NK90Z-DG
سعر الوحدة
1.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP6N100D2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
395
DiGi رقم الجزء
IXTP6N100D2-DG
سعر الوحدة
4.59
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
HUFA76409D3ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
