رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP9N50
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP9N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12839377
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP9N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
730mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
147W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP9
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP11NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
826
DiGi رقم الجزء
STP11NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT9N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOT9N50-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP8NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
996
DiGi رقم الجزء
STP8NM50N-DG
سعر الوحدة
0.88
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT8N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
3679
DiGi رقم الجزء
AOT8N50-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SFT1423-TL-E
MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
HUF76419D3
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
AUIRFS3006-7TRL
MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
