رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF27P06
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF27P06-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 17A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12837861
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF27P06 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
47W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF27
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FQPF27P06FS
ONSONSFQPF27P06
2156-FQPF27P06-OS
FQPF27P06-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP24P085T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
298
DiGi رقم الجزء
IXTP24P085T-DG
سعر الوحدة
1.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQB4N90TM
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
HUF75309T3ST
MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
FDB86363-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK