FQPF27P06
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQPF27P06

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQPF27P06-DG

وصف:

MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 17A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

12837861
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQPF27P06 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
47W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF27

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FQPF27P06FS
ONSONSFQPF27P06
2156-FQPF27P06-OS
FQPF27P06-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXTP24P085T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
298
DiGi رقم الجزء
IXTP24P085T-DG
سعر الوحدة
1.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQB4N90TM

MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

onsemi

HUF75309T3ST

MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4

onsemi

FDB86363-F085

MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

onsemi

FDB150N10

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK