رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF4N90C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF4N90C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12846795
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF4N90C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
960 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
47W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF4
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FQPF4N90C-OS
ONSFSCFQPF4N90C
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SK3564(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
176
DiGi رقم الجزء
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF5N95K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
968
DiGi رقم الجزء
STF5N95K3-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP3NK90ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
799
DiGi رقم الجزء
STP3NK90ZFP-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA76443P3
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
FQP6N70
MOSFET N-CH 700V 6.2A TO220-3
FDWS9508L-F085
MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
