الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF7N65C_F105
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF7N65C_F105-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839854
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF7N65C_F105 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1245 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF7
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOT8N80L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
988
DiGi رقم الجزء
AOT8N80L-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP7N80PM
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFP7N80PM-DG
سعر الوحدة
4.60
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP7N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
299
DiGi رقم الجزء
IXFP7N80P-DG
سعر الوحدة
2.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF6N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
300
DiGi رقم الجزء
STF6N65M2-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF5N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1963
DiGi رقم الجزء
STF5N60M2-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDI150N10
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
NDB4050
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
FDD4243
MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
RFD14N05SM
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA