الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQU13N06LTU-WS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQU13N06LTU-WS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
34177 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837090
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQU13N06LTU-WS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
115mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FQU13N06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FQD13N06LTM Datasheet
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
اسماء اخرى
2832-FQU13N06LTU-WS
FQU13N06LTU_WS
FQU13N06LTU_WS-DG
2832-FQU13N06LTU-WS-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQU13N06LTU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
100
DiGi رقم الجزء
FQU13N06LTU-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STD12NF06L-1
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1913
DiGi رقم الجزء
STD12NF06L-1-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQD13N06LTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1546
DiGi رقم الجزء
FQD13N06LTM-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
TSM900N06CH X0G
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
48855
DiGi رقم الجزء
TSM900N06CH X0G-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK3703-1E
MOSFET N-CH 60V 30A TO220F-3SG
FQA8N90C
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
HUFA76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
2N7002L6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3