رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQU3N40TU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQU3N40TU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12849199
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQU3N40TU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
230 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FQU3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD5NK40Z-1
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2941
DiGi رقم الجزء
STD5NK40Z-1-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQU13N10TU
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
FQD30N06LTF
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
IRFS644BYDTU_AS001
MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
