HUF76419S3ST
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HUF76419S3ST

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

HUF76419S3ST-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 29A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

12851060
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HUF76419S3ST المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
29A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
HUF76

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
PSMN015-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
11707
DiGi رقم الجزء
PSMN015-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

HUF75229P3

MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3

onsemi

BSS123

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

onsemi

FDA79N15

MOSFET N-CH 150V 79A TO3PN

onsemi

FDC642P-F085

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6