HUF76629D3ST
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HUF76629D3ST

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

HUF76629D3ST-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

17120 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839005
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HUF76629D3ST المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1285 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
HUF76629

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
HUF76629D3ST-F085

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQAF11N40

MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF

onsemi

FDS6699S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

infineon-technologies

AUIRF1404Z

MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB

onsemi

NTTFS4821NTAG

MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN