رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUFA76609D3ST
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUFA76609D3ST-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12846354
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUFA76609D3ST المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
425 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
49W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
HUFA76
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
HUFA76609D3STDKR
HUFA76609D3ST-DG
HUFA76609D3STTR
HUFA76609D3STCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUK7275-100A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
68370
DiGi رقم الجزء
BUK7275-100A,118-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP630TSTU
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
AOTF2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
AO3407
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
