HUFA76609D3ST
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HUFA76609D3ST

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

HUFA76609D3ST-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

12846354
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HUFA76609D3ST المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
425 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
49W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
HUFA76

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
HUFA76609D3STDKR
HUFA76609D3ST-DG
HUFA76609D3STTR
HUFA76609D3STCT

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
BUK7275-100A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
68370
DiGi رقم الجزء
BUK7275-100A,118-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQP630TSTU

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF2N60

MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F

alpha-and-omega-semiconductor

AO3407

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6534

MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN