رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUFA76645P3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUFA76645P3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12839538
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUFA76645P3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
310W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
HUFA76
معلومات إضافية
الباقة القياسية
400
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDP100N10
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
2970
DiGi رقم الجزء
FDP100N10-DG
سعر الوحدة
1.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD19534KCS
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
435
DiGi رقم الجزء
CSD19534KCS-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP80NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
455
DiGi رقم الجزء
STP80NF10-DG
سعر الوحدة
1.50
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP70N10S3L12AKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
401
DiGi رقم الجزء
IPP70N10S3L12AKSA1-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS4141
MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
FQPF8P10
MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
FDP8874
MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
