رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF634B-FP001
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF634B-FP001-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 8.1A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12846892
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF634B-FP001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
450mOhm @ 4.05A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF634
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IRF634B_FP001
2156-IRF634B-FP001-488
2832-IRF634B-FP001-488
IRF634B_FP001-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF634PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
6636
DiGi رقم الجزء
IRF634PBF-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD8444L
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
FDD4141-F085
MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
FDD9510L-F085
MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
