الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSC1008CYBU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSC1008CYBU-DG
وصف:
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 700 mA 50MHz 800 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12837890
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSC1008CYBU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
700 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 50mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
800 mW
التردد - الانتقال
50MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
KSC1008
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
KSC1008OBU
مخططات البيانات
KSC1008CYBU
ورقة بيانات HTML
KSC1008CYBU-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZTX451STZ
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZTX451STZ-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N5822 PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
2N5822 PBFREE-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
KSC1008YBU
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
390621
DiGi رقم الجزء
KSC1008YBU-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BCX38CSTZ
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1071
DiGi رقم الجزء
BCX38CSTZ-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BCX38C
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BCX38C-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
KSA1175OTA
TRANS PNP 50V 0.15A TO92S
2SB892T-AE
TRANS
KSB1116LTA
TRANS PNP 50V 1A TO92-3
BD13516S
TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3