الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSC2331YTA
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSC2331YTA-DG
وصف:
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 700 mA 50MHz 1 W Through Hole TO-92-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12854036
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSC2331YTA المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
700 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
700mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 50mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
50MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
KSC2331
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
KSC2331
مخططات البيانات
KSC2331YTA
ورقة بيانات HTML
KSC2331YTA-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
KSC2331YTACT
2832-KSC2331YTATR
KSC2331YTATB
KSC2331YTA-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
KSC1008YTA
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11666
DiGi رقم الجزء
KSC1008YTA-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
KSC1008CYTA
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
26496
DiGi رقم الجزء
KSC1008CYTA-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
KSA928AYTA
TRANS PNP 30V 2A TO92-3
MJH6287G
TRANS PNP DARL 100V 20A TO247-3
MJD148T4G
TRANS NPN 45V 4A DPAK
MJD117-001
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK