الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSE180S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSE180S-DG
وصف:
TRANS NPN 40V 3A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12855281
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSE180S المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
40 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.7V @ 600mA, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 100mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
1.5 W
التردد - الانتقال
50MHz
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
KSE18
معلومات إضافية
الباقة القياسية
250
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MJE180G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
139
DiGi رقم الجزء
MJE180G-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
MJE180 PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
1112
DiGi رقم الجزء
MJE180 PBFREE-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
MJE180STU
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
7680
DiGi رقم الجزء
MJE180STU-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MJL21194G
TRANS NPN 250V 16A TO264
MPSA27_D75Z
TRANS NPN DARL 60V 0.8A TO92-3
MJE800STU
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3
MPS751RLRPG
TRANS PNP 60V 2A TO92