الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSE45H8
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSE45H8-DG
وصف:
TRANS PNP 60V 10A TO220-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 40MHz 1.67 W Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839252
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSE45H8 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
10 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 400mA, 8A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 2A, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
1.67 W
التردد - الانتقال
40MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
KSE45
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
KSE45H8
ورقة بيانات HTML
KSE45H8-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,200
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
TIP32AG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1187
DiGi رقم الجزء
TIP32AG-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
KSE45H8TU
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
22916
DiGi رقم الجزء
KSE45H8TU-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FJPF3305H2TU
TRANS NPN 400V 4A TO220F-3
FJN13003TA
TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
KSD1408YTU
TRANS NPN 80V 4A TO220F-3
FMBM5401-SB74001
TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6