الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSE803S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSE803S-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12854808
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSE803S المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2.8V @ 40mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
750 @ 2A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
40 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
KSE80
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
KSE800-KSE803
مخططات البيانات
KSE803S
ورقة بيانات HTML
KSE803S-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BD679
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5225
DiGi رقم الجزء
BD679-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BD679AS
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
10094
DiGi رقم الجزء
BD679AS-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
BD679A
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1127
DiGi رقم الجزء
BD679A-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MPS6725
TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
KSA1175GTA
TRANS PNP 50V 0.15A TO92S
MPSA18
TRANS NPN 45V 0.2A TO92
KSA812YMTF
TRANS PNP 50V 0.1A SOT23-3