الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSH117TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSH117TM-DG
وصف:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839734
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSH117TM المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
3V @ 40mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
20µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 2A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
1.75 W
التردد - الانتقال
25MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK
رقم المنتج الأساسي
KSH11
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NJVMJD117T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
NJVMJD117T4G-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
MJD117G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1001
DiGi رقم الجزء
MJD117G-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
MJD117T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2150
DiGi رقم الجزء
MJD117T4G-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
MJD117T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2233
DiGi رقم الجزء
MJD117T4-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FJP3307DH2TU
TRANS NPN 400V 8A TO220-3
KSA1013OBU
TRANS PNP 160V 1A TO92-3
KST3906MTF
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
KSA1156YSTSTU
TRANS PNP 400V 0.5A TO126-3