رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MCH6604-TL-E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MCH6604-TL-E-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 50V 250mA 800mW Surface Mount 6-MCPH
المخزون:
12840297
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MCH6604-TL-E المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.57nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6.6pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
800mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
6-MCPH
رقم المنتج الأساسي
MCH6604
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ONSONSMCH6604-TL-E
2156-MCH6604-TL-E
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN61D8LVT-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
9150
DiGi رقم الجزء
DMN61D8LVT-13-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N7002DW
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2378
DiGi رقم الجزء
2N7002DW-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTHD3100CT1
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
FDS8958A-F085
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
FDS9933A
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
