رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MJD122G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MJD122G-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
المخزون:
1748 قطع جديدة أصلية في المخزون
12853469
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MJD122G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
8 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
4V @ 80mA, 8A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 4A, 4V
الطاقة - الحد الأقصى
20 W
التردد - الانتقال
4MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK
رقم المنتج الأساسي
MJD122
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
MJD122G-DG
MJD122GOS
ONSONSMJD122G
2156-MJD122G-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMBT2484
TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
MPSW92RLRAG
TRANS PNP 300V 0.5A TO92
MJW21193G
TRANS PNP 250V 16A TO247-3
