رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MJD253-001
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MJD253-001-DG
وصف:
TRANS PNP 100V 4A IPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W Through Hole I-PAK
المخزون:
12851792
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MJD253-001 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
600mV @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 200mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
1.4 W
التردد - الانتقال
40MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
I-PAK
رقم المنتج الأساسي
MJD25
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MJD253-1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
454
DiGi رقم الجزء
MJD253-1G-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
KST2484MTF
TRANS NPN 60V 0.05A SOT23-3
MJE15031
TRANS PNP 150V 8A TO220
BD788G
TRANS PNP 60V 4A TO126
