رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MJD42C1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MJD42C1G-DG
وصف:
TRANS PNP 100V 6A IPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
المخزون:
465 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851777
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MJD42C1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
6 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 600mA, 6A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
15 @ 3A, 4V
الطاقة - الحد الأقصى
1.75 W
التردد - الانتقال
3MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
I-PAK
رقم المنتج الأساسي
MJD42
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
MJD42C1G-DG
2156-MJD42C1G-OS
MJD42C1GOS
2832-MJD42C1G
ONSONSMJD42C1G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MJE5851G
TRANS PNP 350V 8A TO220
KSC2859OMTF
TRANS NPN 30V 0.5A SOT23-3
TIP127-BP
TRANS PNP DARL 100V 5A TO220AB
