الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MJE18004D2G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MJE18004D2G-DG
وصف:
TRANS NPN 450V 5A TO220
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A 13MHz 75 W Through Hole TO-220
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12853852
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MJE18004D2G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
450 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
750mV @ 400mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
6 @ 2A, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
75 W
التردد - الانتقال
13MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220
رقم المنتج الأساسي
MJE18004
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
MJE18004D2
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUL38D
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1968
DiGi رقم الجزء
BUL38D-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUJ302A,127
المُصنِّع
WeEn Semiconductors
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BUJ302A,127-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
KSC5338DTU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
613
DiGi رقم الجزء
KSC5338DTU-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
ST13005
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3501
DiGi رقم الجزء
ST13005-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STL128D
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
518
DiGi رقم الجزء
STL128D-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MPSL01_D26Z
TRANS NPN 120V 0.2A TO92-3
KSC3074YTU
TRANS NPN 50V 5A IPAK
MMBT5401LT1G
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
BC860BWE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323