رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MTD10N10ELT4
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MTD10N10ELT4-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12839200
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MTD10N10ELT4 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1040 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.75W (Ta), 40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
MTD10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
MTD10N10ELT4OSTR
MTD10N10ELT4OSCT
MTD10N10ELT4OSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR120TRRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFR120TRRPBF-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK7275-100A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
68370
DiGi رقم الجزء
BUK7275-100A,118-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCD850N80Z
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
FQD2P40TM
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
HUF75939P3
MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
