MUN5114DW1T1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MUN5114DW1T1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

MUN5114DW1T1G-DG

وصف:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

المخزون:

13071 قطع جديدة أصلية في المخزون
12937564
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

MUN5114DW1T1G المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
MUN5114

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ONSONSMUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1GOSDKR
MUN5114DW1T1GOSTR
2156-MUN5114DW1T1G-OS
MUN5114DW1T1G-DG
MUN5114DW1T1GOSCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NSBC114TDXV6

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

onsemi

NSBC114EDXV6

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

onsemi

NSBC124EDXV6T5

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

onsemi

NSBA144EDXV6T1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR