رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDB6060
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDB6060-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 48A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12857266
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDB6060 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
48A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NDB606
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
NDB6060TR-NDR
NDB6060TR
NDB6060CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFZ44SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1685
DiGi رقم الجزء
IRFZ44SPBF-DG
سعر الوحدة
1.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB45NF06T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB45NF06T4-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN015-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
11707
DiGi رقم الجزء
PSMN015-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD4806NAT4G
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
STTFS010N10MCL
PTNG 100V LL
NVMFS5C460NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN