رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDBA100N10BT4H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDBA100N10BT4H-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12856888
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDBA100N10BT4H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V, 15V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2950 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NDBA10
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2156-NDBA100N10BT4H
2156-DGBA100N10BT4H-ONTR-DG
ONSONSNDBA100N10BT4H
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDB047N10
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDB047N10-DG
سعر الوحدة
1.79
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB067N08N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5515
DiGi رقم الجزء
IPB067N08N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTA180N10T7
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA180N10T7-DG
سعر الوحدة
3.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFU220NPBF
MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
NP40N10YDF-E1-AY
MOSFET N-CH 100V 40A 8HSON
NVTFS4C08NTAG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
