رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDD60N900U1-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDD60N900U1-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole IPAK
المخزون:
12858045
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDD60N900U1-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
360 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NDD60
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
ONSONSNDD60N900U1-1G
2156-NDD60N900U1-1G-ON
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPS80R1K2P7AKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTS4001NT1
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
NTMFS4C08NT3G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
NVD5C486NLT4G
MOSFET N-CH 40V 9.8A/24A DPAK
