رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDS9948
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDS9948-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 2.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12842685
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDS9948 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
394pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
NDS994
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NDS9948TR
NDS9948DKR
NDS9948CT
NDS9948TR-NDR
NDS9948CT-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTLJD3183CZTBG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
NTMFD6H852NLT1G
MOSFET 2N-CH 80V 0.295A 8DFN
SQJ500EPTR
MOSFET N/P-CH 40V DPAK
