الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NJW21193G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NJW21193G-DG
وصف:
TRANS PNP 250V 16A TO3P-3L
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-3P-3L
المخزون:
6 قطع جديدة أصلية في المخزون
12859205
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NJW21193G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
16 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
250 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
4V @ 3.2A, 16A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 8A, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
200 W
التردد - الانتقال
4MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
حزمة جهاز المورد
TO-3P-3L
رقم المنتج الأساسي
NJW21193
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NJW2119(3, 4)G
مخططات البيانات
NJW21193G
ورقة بيانات HTML
NJW21193G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
NJW21193G-DG
NJW21193GOS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SA1943N(S1,E,S)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
55
DiGi رقم الجزء
2SA1943N(S1,E,S)-DG
سعر الوحدة
0.96
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SBCP53T1G
TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
SS9012GBU
TRANS PNP 20V 0.5A TO92-3
PN2369A_D27Z
TRANS NPN 15V 0.2A TO92-3
SMMBTA14LT1G
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3