رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSVB143TPDXV6T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSVB143TPDXV6T1G-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
المخزون:
12857271
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSVB143TPDXV6T1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
160 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
357mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-563
رقم المنتج الأساسي
NSVB14
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
ONSONSNSVB143TPDXV6T1G
2156-NSVB143TPDXV6T1G-ONTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PEMD13,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3987
DiGi رقم الجزء
PEMD13,115-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
EMD6T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
16000
DiGi رقم الجزء
EMD6T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DCX143TH-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DCX143TH-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NSBA143EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA114EDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSBA114YDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963