رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB150N65S3HF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB150N65S3HF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12844095
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB150N65S3HF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
FRFET®, SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 540µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1985 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
192W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB150
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
NTB150N65S3HF-DG
488-NTB150N65S3HFCT
488-NTB150N65S3HFDKR
488-NTB150N65S3HFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFA22N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
250
DiGi رقم الجزء
IXFA22N65X2-DG
سعر الوحدة
2.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDS355AN_G
MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
NVMJS2D5N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
NTMFS4707NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
