رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB75N03RT4
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB75N03RT4-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 9.7A (Ta), 75A (Tc) 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12848485
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB75N03RT4 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.7A (Ta), 75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1333 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB75
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2156-NTB75N03RT4-ONTR
NTB75N03RT4OS
ONSONSNTB75N03RT4
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRL3803STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2825
DiGi رقم الجزء
IRL3803STRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCPF600N65S3R0L
MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
AUIRFN7110TR
MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN
