رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB90N02T4
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB90N02T4-DG
وصف:
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 24 V 90A (Ta) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12918413
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB90N02T4 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
24 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2120 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB90
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
NTB90N02T4OSCT
2156-NTB90N02T4-ONTR
ONSONSNTB90N02T4
NTB90N02T4OSTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7322ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
SI5441BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
SI3457BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
