رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTC080N120SC1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTC080N120SC1-DG
وصف:
SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount Die
المخزون:
12973508
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTC080N120SC1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.3V @ 5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1112 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
178W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
488-NTC080N120SC1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDP708AE
60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO
PJD9P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD8NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
