رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD110N02R
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD110N02R-DG
وصف:
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 24 V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12857022
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD110N02R المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
24 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.5A (Ta), 110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3440 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD110
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
ONSONSNTD110N02R
2156-NTD110N02R-ON
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD95N2LH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5892
DiGi رقم الجزء
STD95N2LH5-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD17NF03LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3239
DiGi رقم الجزء
STD17NF03LT4-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RJK5015DPM-00#T1
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
NTHD5904NT3
MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
NTD4806N-1G
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
