رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD3055-094-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD3055-094-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-PAK
المخزون:
12938991
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD3055-094-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
94mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta), 48W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NTD30
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NTD3055-094-1G-DG
2156-NTD3055-094-1G-ON
NTD30550941G
ONSONSNTD3055-094-1G
NTD3055-094-1GOS
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFU024PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
846
DiGi رقم الجزء
IRFU024PBF-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD12NF06L-1
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1913
DiGi رقم الجزء
STD12NF06L-1-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTD3055-094T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
42
DiGi رقم الجزء
NTD3055-094T4G-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTB75N06LT4
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
NTLUS020N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
NTMKB4895NT1G
MOSFET N-CH 30V 15A/66A 4ICEPAK
