رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD4302G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD4302G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12859764
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD4302G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.4A (Ta), 68A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2400 pF @ 24 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.04W (Ta), 75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD43
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NTD4302GOS
NTD4302G-DG
ONSONSNTD4302G
2156-NTD4302G-ON
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN3010LK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1639
DiGi رقم الجزء
DMN3010LK3-13-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD50N03S2L06ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2378
DiGi رقم الجزء
IPD50N03S2L06ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF1404STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
NVTFS4C05NTAG
MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
NVMFS5C682NLT3G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
