رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD5865N-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD5865N-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12860347
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD5865N-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
43A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1261 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
71W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD58
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NTD5865N-1G-DG
2156-NTD5865N-1G-ON
ONSONSNTD5865N-1G
NTD5865N-1GOS
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOI442
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOI442-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TSM170N06CH C5G
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
29506
DiGi رقم الجزء
TSM170N06CH C5G-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK1340-E
MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
NVMFS5C645NLWFT3G
MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
IPB156N22NFDATMA1
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
