رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTGS3433T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTGS3433T1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 2.35A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
12847167
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTGS3433T1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.35A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 5 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
NTGS3433
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTGS3433T1GOSCT
NTGS3433T1GOS
NTGS3433T1GOSTR
NTGS3433T1GOSDKR
2156-NTGS3433T1G-OS
ONSONSNTGS3433T1G
NTGS3433T1GOS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RAQ045P01TCR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
7835
DiGi رقم الجزء
RAQ045P01TCR-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMP2033UVT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMP2033UVT-7-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
CPH6350-P-TL-E
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
